The Organic Garden
Allan Shepherd
Выражаем надежду, что "The Organic Garden" будет полезной и поможет в деле обустройства приусадебного ...
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
Электронная книга
- Автор: Виктор Мурашев
- Издатель: МИСиС
- Год: 2001
- ISBN:
- Цена: 224 Руб.
Знание - оружие, и книга - основной фонд мудрости. И путеводная нить. И это достоверный вид такой литературы, что несет знания, помогает решить проблемы, являясь своего рода руководством в определенных вопросах - "Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет"
С позиций радиационной технологии микроэлектроники процесс смещения атомов из узлов кристаллической решетки наиболее интересен, поскольку именно он в первую очередь определяет концентрацию и свойства вторичных радиационных дефектов – радиационных центров (РЦ), образующихся в результате последующего взаимодействия компонент пар Френкеля с имеющимися до облучения точечными дефектами. Стабильные во времени и по температуре РЦ действуют в полупроводнике подобно донорам, акцепторам или рекомбинационным примесям, что позволяет управлять основными электрофизическими и даже геометрическими характеристиками активных областей неоднородной структуры и изменять в широком диапазоне параметры ППП или ИС в конце цикла их изготовления
Полагаем, что "Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет" вооружит вас знаниями и поможет познать и изменить некоторые особые аспекты бытия.
