Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
Электронная книга
- Автор: Алексей Ковалев
- Издатель: МИСиС
- Год: 2011
- ISBN:
- Цена: 1456 Руб.
Знание - сильное оружие, и книга - лучший носитель познаний. И это ещё не всё! И вот потрясающий эталон такой работы, которая дарит новые сведения, в том числе полезные для самостоятельного понимания некоторых аспектов сложного мира человеческой цивилизации - "Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур"
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники – биполярных и полевых транзисторов – в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники – гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3…1,5 мкм.
Несомненно, что "Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур" окажется кстати и полезной в познании данной области человеческих знаний и себя.






